富芯半导体申请半导体结构及其制备方法专利, 降低 SGT 和 BCD 器件集成的工艺成本

金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120529632A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法；制备方法可以包括：提供基底，基底包括横向排布的SGT器件区和BCD器件区，SGT器件区和BCD器件区的导电类型不同；于SGT器件区和BCD器件区形成多个深沟槽；对多个深沟槽进行栅极材料填充，形成SGT器件区的第一耐压栅结构和至少一个栅极填充结构，以及BCD器件区的第二耐压栅结构，第一耐压栅结构临近BCD器件区；基于至少一个栅极填充结构形成屏蔽栅结构；于BCD器件区形成多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构位于第一耐压栅结构和第二耐压栅结构之间。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息294条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界